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本发明公开了一种双重耐压半导体功率器件及其制备方法，包括在基片上外延生长形成的外延层，该外延层内设有若干个深沟槽，相邻深沟槽之间的外延层内间隔设置有阱区；所述深沟槽靠近阱区一侧上下设置有栅氧化层和第一纵向场氧化层，深沟槽的另一侧设有第二纵向...
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