温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明公开了一种FinFET的寄生电容测试结构中，FinFET包括栅极结构、由第一导电类型轻掺杂区组成的浅掺杂源区和浅掺杂漏区、侧墙、由第一导电类型重掺杂区组成的源区和漏区、第二导电类型阱区和由第二导电类型重掺杂区组成的体引出区。FinFE...
该专利属于上海华力集成电路制造有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华力集成电路制造有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。