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原子层沉积设备制造技术
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文档序号:32264234
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本发明涉及原子层沉积设备,其包括原子层沉积反应器(1)和反应器门(2)。反应器门(2)布置成在反应器(1)的关闭位置中紧靠反应器(1)的端部边缘(12)。设备包括用于冷却反应器门(2)的冷却布置,该冷却布置包括壳体结构(3),该壳体结构(3...
该专利属于BENEQ有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过BENEQ有限公司授权不得商用。
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