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本实用新型涉及一种利用多晶硅版图层次构造静电电流泄放通道的静电放电防护器件。目前多采用可控硅ＳＣＲ达成保护芯片抵御静电袭击的目的，但是结构比较复杂，加工难度较大，同时触发点电压值不能够灵活地调整。本实用新型的静电放电防护器件包括Ｐ型衬底，Ｐ...
该专利属于浙江大学所有，仅供学习研究参考，未经过浙江大学授权不得商用。

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