温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本实用新型涉及一种静电放电防护器件。现有的可控硅ＳＣＲ防静电的效果不理想。本实用新型的阱区上方设置有多晶硅层和ＳｉＯ↓［２］氧化层。多晶硅层和ＳｉＯ↓［２］氧化层的长度大于或等于Ｎ阱的Ｐ＋注入区靠近Ｐ阱的侧面与Ｐ阱Ｎ＋注入区靠近Ｎ阱的侧面之...
该专利属于浙江大学所有，仅供学习研究参考，未经过浙江大学授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。