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本实用新型涉及一种半导体元件。所述半导体元件，包括工作元件、位于工作元件上的绝缘层、位于绝缘层中至少一导线及位于绝缘层和导线上的覆盖层。覆盖层为非导电性，且包括至少一第一金属元素。此非导电的覆盖层包括位于导线和导线间的绝缘层上的第一金属氮化...
该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。

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