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本实用新型公开一种功率型分离器件金属氧化物半导体场效应晶体管，包括由隔离层、复合半导体材料层及氧化扩散层组成的边界区域及带有阻障层的雪崩耐能单元；其第一段复合半导体材料层左端结构不与氧化扩散层左端取齐，且在复合半导体材料层和氧化扩散层邻近区...该专利属于大连华坤科技有限公司;大连宇宙电子有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过大连华坤科技有限公司;大连宇宙电子有限公司授权不得商用。