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本实用新型公开了一种可集成的高压ＶＤＭＯＳ晶体管结构及其制备方法。其结构采用在Ｎ型外延层４与衬底１的界面上设有Ｎ型埋层２，在Ｎ型外延层上设有Ｐ型体沟道区１１和深Ｎ＋扩散区５及Ｐ型阱６，该Ｐ型体沟道区的四周设有Ｐ型场限环７，该Ｐ型体沟道区的内...
该专利属于西安电子科技大学所有，仅供学习研究参考，未经过西安电子科技大学授权不得商用。

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