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本发明涉及抗辐射半导体器件，该器件的电特性不会由于辐射而衰变．本发明提出用以构成某种电导类型而掺入半导体内的杂质应选用相应元素的一种同位素，其热中子吸收截面较小的一种，例如，用原子质量数为１１的硼原子作为受主杂质，用原子质量数为１２３的锑Ｓ...
该专利属于株式会社日立制作所所有，仅供学习研究参考，未经过株式会社日立制作所授权不得商用。

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