温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

一种全自对准的多晶硅发射极双极晶体管．用发射极台面（７）的氧化侧壁（８）（侧壁隔离层）作为＋［＋］Ｐ基极接触注入的掩膜，可实现Ｐ＋［＋］基极接触（１２）的自对准．采用与发射极台面（７）相同的多晶硅所确定的多晶硅对准台面（１４）的氧化侧壁（１...
该专利属于ITT工业公司所有，仅供学习研究参考，未经过ITT工业公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。