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本发明披露了有关光电导型摄象管靶的光电导膜的一种结构．此类光电导膜主要由Ｓｅ制成并在其中央部分掺杂Ｔｅ而形成．除此，将据认为可以形成俘获Ｓｅ中电子的深陷阱能级之Ａｓ，以及通过俘获Ｓｅ中的电子形成负空间电荷的ＧａＦ－［８］等可添加到存在有Ｔｅ...
该专利属于株式会社日立制作所;日本放送协会所有，仅供学习研究参考，未经过株式会社日立制作所;日本放送协会授权不得商用。

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