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静电防护电路包含第一晶体管、第二晶体管第三晶体管。第一晶体管具有源极、栅极、及漏极,其中第一晶体管之源极连接至功率装置的第一端点,且第一晶体管之漏极连接至功率装置的第二端点,其中功率装置的第一端点为高电子迁移率晶体管之源极,且功率装置的第二...该专利属于英诺赛科(珠海)科技有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过英诺赛科(珠海)科技有限公司授权不得商用。
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静电防护电路包含第一晶体管、第二晶体管第三晶体管。第一晶体管具有源极、栅极、及漏极,其中第一晶体管之源极连接至功率装置的第一端点,且第一晶体管之漏极连接至功率装置的第二端点,其中功率装置的第一端点为高电子迁移率晶体管之源极,且功率装置的第二...