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一种螺栓型晶闸管制造方法，属于半导体制造技术领域。本发明采用二次扩散法在原始Ｎ型硅片上形成Ｐ－Ｎ－Ｐ－Ｎ四层结构，用银－锑合金片（Ａｇ－Ｓｂ）代替金－锑合金片（Ａｕ－Ｓｂ）进行烧结形成Ｎ＋［＋］层和阴极电极。本发明与传统的“扩散——合金法”...
该专利属于邮电部武汉通信电源厂所有，仅供学习研究参考，未经过邮电部武汉通信电源厂授权不得商用。

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