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含有一个ｐ↑［＋］区与ｎ↑［＋］区之间的耐压区的半导体功率器件，其特性是用包括有二种导电类型的材料相间排列组成的复合缓冲层（ＣＢ层）的耐压区代替了以往的一种导电类型的耐压区。本发明还提供了复合缓冲层不同图形的设计规范。采用本发明可以得到性能...
该专利属于三维半导体股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过三维半导体股份有限公司授权不得商用。

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