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半导体器件，包括具有由半导体形成的源和漏区、栅绝缘膜和栅电极区的晶体管，所述源、漏、栅绝缘膜和栅电极沿基片的主表面并列设置，其中至少一部分隐埋在该基片内。根据本发明，能够使ＭＯＳ晶体管的面积小且表面平坦，从而能得到高速且高可靠的ＭＯＳ晶体管...
该专利属于佳能株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过佳能株式会社授权不得商用。

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