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一种通过绝缘膜在导电性基底表面上形成导电性薄膜的半导体器件的对准方法，其特征在于包括：在所述绝缘膜上至少形成两个露出所述基底表面的开孔的步骤；在所述开孔内选择地沉积导电材料，在所述开孔中至少一个内形成台阶差的步骤；以及至少在所述绝缘膜上形成...
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