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本发明属于在常温下测量一氧化碳气体的敏感元件的制备技术。本发明选择ＳｎＯ↓［ｘ］为主体材料其中ｘ值在１．０－１．６之间是非化学剂量比，这一配比，通过硫酸亚锡热分法获得。制备的敏感元件可以实现一氧化碳气体的室温检测，并且对甲烷丁烷、庚烷等干扰...该专利属于中国科学院长春应用化学研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院长春应用化学研究所授权不得商用。
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本发明属于在常温下测量一氧化碳气体的敏感元件的制备技术。本发明选择ＳｎＯ↓［ｘ］为主体材料其中ｘ值在１．０－１．６之间是非化学剂量比，这一配比，通过硫酸亚锡热分法获得。制备的敏感元件可以实现一氧化碳气体的室温检测，并且对甲烷丁烷、庚烷等干扰...