温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

一种制造半导体器体的方法，包括步骤：在半导体层上形成第一绝缘膜，在绝缘膜上形成栅电极，将第一绝缘膜刻图成为第二绝缘膜，使半导体层一部分露出，而第二绝缘膜的延伸部分超过栅电极的侧边，用栅电极和栅绝缘膜的延伸部分作掩模进行离子掺杂，形成杂质区。...
该专利属于株式会社半导体能源研究所所有，仅供学习研究参考，未经过株式会社半导体能源研究所授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。