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本发明的目的是改进半导体集成电路装置的抗ＥＳＤ能力，使Ｎ沟道型ＭＯＳ晶体管的漏区中的Ｎ－型杂质的表面浓度，在栅电极端的栅电极方向的最大值，大于５Ｅ１８／ｃｍ↑［３］，并有在表面方向单调变化的浓度分布，该分布中在杂质浓度小于５Ｅ１８／ｃｍ↑［...
该专利属于精工电子工业株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过精工电子工业株式会社授权不得商用。

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