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一种半导体器件的布线结构填埋一个开口（如接触孔或通孔）。该布线结构包括半导体衬底、在衬底上形成的绝缘层（该绝缘层中形成有开口）、在该开口内侧壁上形成的不带由难熔金属或难熔金属化合物组成的晶粒边界的平坦表面的扩散阻挡膜，以及在该扩散阻挡膜上形...
该专利属于三星电子株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过三星电子株式会社授权不得商用。

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