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本发明公开了基于电源管理的静电防护芯片，包括衬底、形成在衬底上的第一外延层、自第一外延层延伸至衬底内的沟槽，沟槽内填充第二外延层，位于衬底内并连接第一外延层、沟槽侧壁和底部的第一注入区，形成在第一外延层内间隔排列的第二注入区，形成在第一外延...
该专利属于深圳市鑫飞宏电子有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过深圳市鑫飞宏电子有限公司授权不得商用。

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