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本发明提供一种新构造的凸极的半导体装置，该装置的内引线表面的镀锡层与凸出电极进行反应所形成的Ａｕ－Ｓｎ等的合金不会达到钝化开口部分的底面。钝化开口部分９的中心被配置为比凸出电极５的中心更靠近半导体基板中心。更靠近内引线的顶端而远离外引线。通...
该专利属于株式会社东芝所有，仅供学习研究参考，未经过株式会社东芝授权不得商用。

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