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一种用于形成半导体器件的杂质结区的方法，其中浅的杂质结区通过注入大分子量的杂质离子在半导体衬底中选择性地形成缺陷区和无定型区加以形成，从而可改善半导体器件的特性。该方法包括二次光刻，三次离子注入以便分别形成缺陷区、无定型区和杂质结区等步骤。...
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