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一种半导体存储器包含半导体衬底（１０）、许多子位线对（ＳＢＬ１１、ＳＢＬ１１－ＳＢＬ４４、ＳＢＬ４４）、在子位线对之上的层上形成的主位线对（ＭＢＬ１、ＭＢＬ１）许多选择晶体管、与子位线对交叉的许多字线和许多存储单元。每个选择晶体管相应于一条...
该专利属于三菱电机株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过三菱电机株式会社授权不得商用。

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