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在包含两个跨连的反相器的ＳＲＡＭ单元中，每个反射器有第一电阻元件（Ｒ↓［１］，Ｒ↓［２］）和激励ＭＯＳ晶体管（Ｑ↓［ｄ１］，Ｑ↓［ｄ２］），第二电阻元件（ｒ↓［１］，ｒ↓［２］）连接在第一电阻元件与激励ＭＯＳ晶体管之间。一个反相器的激励ＭＯ...
该专利属于日本电气株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过日本电气株式会社授权不得商用。

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