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一种半导体器件,其存储单元区有具一定高度的组件,其外围电路区没有具一定高度的组件。第一部分有一个层间绝缘膜,其最上面的绝缘膜为第一层间膜。第二部分的层间绝缘层由所述第一层间膜和直接敷在该第一层间膜的第二层间膜组成,第二层间膜的抛光率大于第一...该专利属于日本电气株式会社;恩益禧电子股份有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过日本电气株式会社;恩益禧电子股份有限公司授权不得商用。
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一种半导体器件,其存储单元区有具一定高度的组件,其外围电路区没有具一定高度的组件。第一部分有一个层间绝缘膜,其最上面的绝缘膜为第一层间膜。第二部分的层间绝缘层由所述第一层间膜和直接敷在该第一层间膜的第二层间膜组成,第二层间膜的抛光率大于第一...