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半导体器件静电泄放结构，包括Ｐ型杂质掺杂的半导体衬底；在半导体衬底一定区域中形成的Ｎ型阱；在Ｎ型阱一定区域中形成的Ｐ型槽阱；在Ｎ型阱表面形成并且掺杂浓度高于Ｎ型阱的Ｎ型有源保护环；在Ｐ型槽阱的表面形成并且掺杂浓度高于Ｐ型槽阱的Ｐ型有源保护环...
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