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本发明的目的是要提供一种能够通过提高用一个存储单元表示的状态的数目来提高存储单元的集成密度的非易失性半导体存储器件。本发明的非易失性半导体存储器件具有这样的结构：在一个有最小尺度的控制栅（５）下设置两个悬浮栅（３，４），两个悬浮栅中的每一个...
该专利属于日本电气株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过日本电气株式会社授权不得商用。

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