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提供了一种半导体器件的制造方法，它能在一层夹层介质层的窗孔内形成一个导体塞而又不致出现任何空隙，在第一夹层介质层上形成第一布线层之后，在第一夹层介质层上形成第二夹层介质层盖住第一布线层。在第二夹层介质层中形成第一窗孔。在第二夹层介质层上或其...
该专利属于日本电气株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过日本电气株式会社授权不得商用。

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