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本发明公开了一种动态随机存取存储器或诸如此类，为了防止电容性元件的击穿电压变劣，当采用ＣＶＤ法在构成电容性元件的电容器绝缘膜的钽膜上淀积电极材料和ＴｉＮ膜时，预先在氧化钽膜表面上形成钝化膜，以此避免采用含钛源气体和含氮还原气体通过ＣＶＤ法，...
该专利属于株式会社日立制作所所有，仅供学习研究参考，未经过株式会社日立制作所授权不得商用。

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