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本发明揭示了一种复合式ＳＯＩ基片，其容许通过使用传统可见光校准器，对埋于ＳＯＩ基片内的绝缘体膜图型及在ＳＯＩ基片层上形成的图型进行高精度校准。复合式ＳＯＩ基片是通过在第一硅基片１０的主表面边缘上形成校准氧化物薄膜图型１ａ；制备在其边缘有最好...
该专利属于日本电气株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过日本电气株式会社授权不得商用。

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