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半导体器件的凸出电极形成方法技术
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文档序号:3221981
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一种半导体器件的凸出电极形成方法,其特征是,具有下述工序:粘接剂处理工序,用于把粘结剂附加到半导体器件的焊盘电极上边;焊锡小粒附着工序,用于使一个或二个以上的焊锡小粒附着于已附加了粘结剂的部分上;以及焊锡熔融工序,用于熔融焊锡小粒以形成凸出...
该专利属于西铁城时计株式会社所有,仅供学习研究参考,未经过西铁城时计株式会社授权不得商用。
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