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本发明为按劈开－多晶硅ＣＭＯＳ制造流程使用堆叠的箱式电容制造动态随机存取存储器的工艺。劈开－多晶硅流程表示采用分开的掩模步骤，由单个导电层（通常为掺杂的多晶硅层）形成Ｎ－沟道和Ｐ－沟道晶体管栅极。本发明的关键在于允许形成电容后掺杂Ｐ－沟道源...
该专利属于微米技术有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过微米技术有限公司授权不得商用。

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