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本发明是将对晶块的构成成分显示高浸蚀特性的浸蚀气体，以分子流线形流动状态供给到晶块的切断预定部，使上述晶块的切断预定部由表面侧逐渐挥发除去，借此最终将切断预定部全部挥发除去，而切出晶片。按照此方法，可以大幅度减薄切断余量，并且可使作业环境保...
该专利属于空气及水株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过空气及水株式会社授权不得商用。

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