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本发明公开了一种具有被提高的单元比的ＳＲＡＭ单元及其制造方法。根据本发明的一种包括分别具有ＬＤＤ结构的源／漏极区的下拉元件、存取元件和上拉元件的ＳＲＡＭ单元，其中存取元件的源／漏极区包括Ｎ↑［＋］源／漏极区、形成于Ｎ↑［＋］源／漏极区下部的...
该专利属于现代电子产业株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过现代电子产业株式会社授权不得商用。

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