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本发明公开了向形成第２Ｐ沟的衬底施加负电压时，第１Ｐ沟与第２Ｐ沟间的阈值电压差最小化的同时，也能使工序最简化的半导体装置及其制造方法。该半导体装置包括：元件分离用绝缘膜；半导体衬底；Ｎ型埋入层；Ｐ型第１沟区域；Ｐ型第２沟区域；Ｎ型第１沟区域...
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