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一种制造半导体器件的方法，该半导体器件有Ｐ型发射极层、Ｎ型基极层、Ｐ型收集极层、Ｐ收集极接触层以及氧化物隔离层，该方法包括下列步骤：在衬底上形成氮化物膜；形成氧化物隔离层；形成Ｐ型收集极层；形成收集极接触－基极防止漏电层；形成Ｎ型基层；以及...
该专利属于松下电器产业株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过松下电器产业株式会社授权不得商用。

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