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本发明为防止热载流子效应和结漏电，提出一种具有双重结结构的半导体器件，包括：在半导体基片上形成的栅绝缘膜；在该膜上形成的栅电极；由形成于上述半导体基片上的第１导电类型的第１杂质注入区和形成于该区下部其浓度较低的第２导电类型的第２杂质注入区构...
该专利属于现代电子产业株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过现代电子产业株式会社授权不得商用。

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