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高铝含量、低氧含量的聚铝碳硅烷、制备方法及SiAlC陶瓷技术
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文档序号:32218880
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本发明公开了一种高铝含量、低氧含量的聚铝碳硅烷的制备方法,采用液态超支化液态聚碳硅烷和甲基铝氧烷为原料,在密闭惰性条件下,制得聚铝碳硅烷,通过调节原料的配比,即可实现聚铝碳硅烷中铝元素含量的调节;本发明还公开了一种基于上述方法制得的聚铝碳硅...
该专利属于航天材料及工艺研究所所有,仅供学习研究参考,未经过航天材料及工艺研究所授权不得商用。
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