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本发明属于半导体二极管设计领域。本发明（ＳＰＢＤ）包括阳极区、基区、阴极区以及金属层形成两电极。阳极区由Ｐ区和均匀分布在Ｐ区中的呈圆形的Ｐ↑［＋］区。基区为Ｎ区。阴极区由Ｎ↑［＋］区及镶嵌于Ｎ基区与Ｎ↑［＋］区欧姆接触层处的Ｎ区内的多个凸包...
该专利属于清华大学所有，仅供学习研究参考，未经过清华大学授权不得商用。

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