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一种集成电路，包括具有基本均匀的栅氧化层厚度的ＦＥＴ和具有增强的栅氧化层厚度的ＦＥＴ。具有增强栅氧化层的ＦＥＴ在贴近增强（较厚）的氧化物处有一层扩散了钾的ＯＮＯ层，从而有稍微较高的Ｖｔ和明显被减弱的软开启。...
该专利属于国际商业机器公司;西门子公司所有，仅供学习研究参考，未经过国际商业机器公司;西门子公司授权不得商用。

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