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一种半导体器件的隔离区的制造方法，包括以下步骤：衬底上形成第一绝缘层；第一绝缘层上形成第二绝缘层并除去场区上的第二绝缘层；用第二绝缘层作掩模选择除去第一绝缘层以露出衬底表面；露出衬底上形成第三绝缘层；第二绝缘层的两侧边上形成第四绝缘侧壁；用...
该专利属于LG半导体株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过LG半导体株式会社授权不得商用。

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