温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

有横向ｎｐｎ双极晶体管，垂直和横向ｐｎｐ双极晶体管，集成注入逻辑，扩散电容器、多晶硅电容器和多晶硅电阻器的互补双极晶体管。横向双极晶体管有包括高浓度区和低浓度区的发射区和集电区，发射区形成在ｎ型桶形区中。集成注入逻辑电路中，集电区由高浓度ｐ...
该专利属于三星电子株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过三星电子株式会社授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。