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静态随机存取存储器及其制作方法技术
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文档序号:3221695
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一种具有增进稳定性的SRAM存储单元,其包括的派通晶体管(pass transistors)的栅极利用氧化工序来定型,以使栅极的下缘被举升离开基底表面。由于负载与下拉晶体管(load andpull - down transist...
该专利属于联华电子股份有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过联华电子股份有限公司授权不得商用。
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