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提高用Ｃ－ｔ测定法评价半导体元件分离端缺陷的测试结果之准确度。把铝压焊区设置到场氧化膜元件分离结构５之上。通过铝布线结构１０等把铝压焊区１１与栅极７电连接起来。测定时使探针３接触到压焊区１１上来施加电压。通过使探针３不直接接触栅极７，使得应...
该专利属于三菱电机株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过三菱电机株式会社授权不得商用。

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