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布线之间有空腔的半导体器件的制造方法技术
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文档序号:3221606
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在第1层间绝缘膜上形成布线层。在布线层上形成氧化膜。对氧化膜刻图形成相当于布线之间间隔的间隔。之后,用留在布线层上的氧化膜作掩模,腐蚀布线层和第1层间绝缘膜的表面层。此时,用布线层形成用间隔使其相互隔开的两条布线。之后,用偏压ECR膜淀积法...
该专利属于日本电气株式会社所有,仅供学习研究参考,未经过日本电气株式会社授权不得商用。
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