温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

提供一种不使位线与字线连接而以自行调整的方式连接在半导体衬底上且不产生成结晶缺陷的半导体装置。在半导体（例如Ｓｉ）衬底１上依次分别形成元件分离绝缘膜２、栅氧化膜３、栅极４（字线）、绝缘膜５之后，形成侧壁６ａ～６ｆ。此时，形成衬底保护氧化膜６...
该专利属于三菱电机株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过三菱电机株式会社授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。