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一种包括源－漏区、沟道区、浮栅和控制栅的存储单元。所述浮栅被彼此靠近地布置在栅绝缘层上沟道区的上方，控制栅被布置在一个绝缘层和另一个绝缘层上浮栅的上方，这两个层都是用ＬＯＣＯＳ方法形成的。利用所述绝缘层在浮栅的上角形成突起部分。控制栅的中心...
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