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所提供的半导体存储器件，每个存储电容器具有被下部及上部电极所夹的电介质。下部电极由制作图形的共用导电层制成，电介质由形成在共用导电层上被加工图形的共用铁电层制成，且铁电层与共用导电层重合。上部电极规则设置在共用铁电层上且位于矩阵阵列的行及列...
该专利属于日本电气株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过日本电气株式会社授权不得商用。

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