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在硅基片（４１）中形成一沟槽隔离（４９／５３）用于确定分给电路元件的有源区，其有一低于相邻有源区上生长的栅氧化层（５４）的上表面；在形成沟槽隔离时，从限定沟槽（４７）的硅基片的边缘除去氧化硅（４２）；然后硅基片的表面被氧化致使氧化硅（４９）...
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